Alumno: Ing. Jesús Aguayo Alquicira
Directores de tesis: Dra. María Cotorogea / Dr. Abraham Claudio
OBJETIVO
- Estudio y caracterización del comportamiento de los transistores IGBT tipo Punch-Through (IRG4PC30F) y Non-Punch-Through (SGP15N60), en los diferentes modos de conmutación, a través de los resultados experimentales en circuitos de prueba y de las simulaciones con el modelo de la versión actual (8.0) del IGBT en PSpice.
RESUMEN
- En el diseño de un convertidor se utilizan, para realizar la función de interruptor, los dispositivos semiconductores de potencia (DSEP) que tengan las mejores características adaptadas a su funcionamiento, por ejemplo: Corriente, tensión, tiempos de conmutación rápidos, etc. Actualmente, los interruptores mas comúnmente utilizados son: El transistor bipolar, MOSFET, IGBT, MCT, etc. Entre los que destaca la importante evolución del IGBT por sus características particulares en cuanto a tensión, corriente y facilidad de control.
Los diferentes modos de conmutación y tipos de componentes en el mercado dificultan la selección adecuada de estos últimos sobre la base de sus reales capacidades y adaptadas al diseño del convertidor. Un método interesante de estudio de los dispositivos semiconductores de potencia (DSEP) consiste en abordar dos aspectos complementarios que se deben considerar al mismo tiempo: el aspecto de simulación y el aspecto experimental. En este trabajo de tesis se abordan por un lado el aspecto de simulación en el cual se consideran las partes básicas como son: simulador, modelado y extracción de parámetros. Por otro lado se presenta el aspecto experimental en el cual se describen las consideraciones de diseño de circuitos de prueba para DSEP, el modo de control y sistema de medición.
ALCANCES
- Desarrollo de circuitos especiales de prueba en los diferentes modos de conmutación que permitan la reproducción de las condiciones de operación de los dispositivos de potencia. Simulación de los circuitos de prueba (incluyendo elementos parásitos) en las mismas condiciones de prueba.
- Análisis comparativo de los transistores IGBT tipo NPT y PT en los diferentes modos de conmutación, así como el análisis comparativo de los resultados experimentales y simulación.
Adscripción Actual: Estudiante de Doctorado en el CENIDET.
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